三星宣佈已開發出業界首個擁有 512GB 容量的 DDR5 記憶體模組。而這款記憶體模組針對 AI/ML、超級運算、分析、網路與其他數據密集型工作負載而設計。官方表示 512GB DDR5 記憶體模組將擴充其現有產品組合，以提供有史以來最高的容量。記憶體採用 HKMG (High-K Metal Gate) 製程，而此製程亦將用於生產 GDDR6 VRAM 模組，能將記憶體模組的功耗降低 13%，並且還減少漏電率。
在規格方面，三星 512GB DDR5 記憶體模組的效能是 DDR4 的兩倍，速度高達 7200Mb/s，該記憶體共有 40 個記憶體顆粒，皆為 8-Layer 16Gb DRAM，採用 TSV (Through-Silicon-Via) 方式進行堆疊。
三星亦指其正在準備推出更多不同的 DDR5 型號，但暫未提供發布日期。目前大概可預計他們將隨著 Intel、AMD 的 DDR5 平台開始進入市場，而在今年年底推出相關產品。
