Samsung

在 10nm 或更先進製程的半導體工藝，目前只有 Intel、台積電與 Samsung 有能力量產。近日台灣媒體 Digitimes 整理了三大晶圓廠在 10nm 至 2nm 的演進對比圖，並以電晶體密度來顯示。 圖片源自：DIGITIMES 於 10nm 部份，Intel 的密度高達 1.06億/mm²，是台積電及 Samsung 的兩倍。在 7nm 部份，Intel 預計能達到1.8億/mm²，台積電則為 9,700萬/mm²、Samsung 為 9,500萬/mm²。在 5n

日前，Samsung 預告了全球第一款 PCI-E 5.0 SSD - PM1743，主面面向 Data Center 的企業級產品。PM1743 採用特殊的 E3.S、E3.L 尺寸規格。 採用的 NAND Flash 記憶體顆粒為 V6 TLC，SSD 提供 1TB 及 2TB 兩個容量方案。E3.S 功耗為 20 - 25W (1 TB)、35 - 40W (2 TB)，而 E3.L (1TB) 的功耗最高為 40W。支援 PCI-E 5.0 x4 (Single port)

目前全球能夠量產的最先進製程為 5nm，而台積電將準備於明年量產 3nm 製程。台積電採用的是 FinFET 電晶體技術，而 Samsung 則選擇了 GAA 技術，而日前 Samsung 已成功流片了 3nm GAA 晶片，邁出了關鍵一步。 在 3nm 製程上，Samsung 發展得比較激進，直接選用了新一代技術「GAA (環繞閘極電晶體)」，透過使用納米材料設備製造出了 MBCFET (Multi-Bridge Channel FET 多橋通道場效電晶體)，此技術可以顯著提升電晶體的效

首爾企業評估機構 CEO Score，上禮拜發佈了最新的統計數據，當中台積電 TSMC 與三星 Samsung 的市值差距已由去年的 100 億擴大至 1,170 億美元，差距擴大 11 倍之多。 台灣的台積電現為世界晶圓代工的龍頭企業，至於南韓的 Samsung Electronics 亦緊追其後。但遺憾的是，兩者的市值差距持續拉大，代表前者的領先優勢更強大。 另外研究機構 TrendForce 估計，2021 年全球晶圓代工業的總營收將年增 11% 至 946 億美元的歷

全球記憶體市場基本上由 Samsung、SK Hynix 及 Micron 三大巨頭瓜分。而每次記憶體價格的變動都直接影響其的利潤。而近一年來記憶體的價格一直大漲，但背後可能不完全是市場因素。 近 businesskorea 報導指，美國律師事務所 Hagens Berman 於 5 月 3 日向美國加州北部聯邦地區法院，提出消費者集體訴訟，指控 Samsung、Micron 等公司共同操控記憶體晶片市場，讓 DRAM 的價格倍升甚至更多，這些公司因而獲得可觀的利潤。 在報導中寫道，Ha