N3

台積電早前曾宣稱其 3nm N3 製程對比 5nm N5 製程，可將密度增加 60 - 70% 之多。不過從最新的官方資料上顯示，結果並不如此。 在台積電最新一份論文中承認，其 N3 製程的 SRAM 單元面積為 0.0199 平方微米，對比 N5 製程的 0.021 平方微米，僅縮小了 5%。而更慘烈的是，其第二代 3nm 製程 N3E 的 SRAM 單元面積為 0.021 平方微米，即與 N5 製程一樣沒有差別。在此情況下的電晶體密度為每平方毫米約 3,180 萬個。 而