FinFET

目前全球能夠量產的最先進製程為 5nm，而台積電將準備於明年量產 3nm 製程。台積電採用的是 FinFET 電晶體技術，而 Samsung 則選擇了 GAA 技術，而日前 Samsung 已成功流片了 3nm GAA 晶片，邁出了關鍵一步。 在 3nm 製程上，Samsung 發展得比較激進，直接選用了新一代技術「GAA (環繞閘極電晶體)」，透過使用納米材料設備製造出了 MBCFET (Multi-Bridge Channel FET 多橋通道場效電晶體)，此技術可以顯著提升電晶體的效