DDR5

今日，韓國記憶體生產商 SK Hynix 正式發佈全球第一款 DDR5 記憶體，在頻率、容量等技術都達到了全新的等級。 這款剛發佈的 DDR5 記憶體將面向 Server、Data Center 以 RDIMM 形態出現，基於 1Ynm 製程生產的 16Gb 顆粒，單條容量為 64GB，藉助 TSV 矽穿孔技術，最高可達 256GB。至於頻率方面，則由 4,800MHz 起步，最高為 5,600MHz。電壓則是標準的 1.1V，功耗降低了 20％。 由於屬於 RDIM

因各種原因，不論是消費級還是企業級，Intel 這兩年的產品規劃不斷頻繁。近日 Intel 公關總監 Trey Campbell 就保證表示：將在今年 Q2 尾 (最遲 6 月底) 發布代號 Ice Lake-SP 的新一代 Xeon Server 平台，而明年更會帶來 Sapphire Rapids。 Ice Lake-SP 將採用與 Mobile 版的 Ice Lake-U/Y 系列相同的 10nm 製程、Sunny Cove CPU 架構，並採用新的 LGA 4189 接口，

在 PCI-E 4.0 的領域上，AMD 早在 Zen2 的產品中率先支持，比對手領先甚多。那 DDR5 跟 USB4 呢 ? 據外媒消息，AMD 內部人員爆料一張路線圖，當中可見 AMD 將於 2022 年加入對 DDR5  的支持。 而 2022 年對應的為 AMD Zen 4 架構，而在路線圖中也可發現 Ryzen CPU 為 Zen4、APU 則是 Zen3+ 架構。除了 DDR5 外，爆料者還指 AMD 在 2022 年還會實現對 USB4 的支持，Mobile CPU

SK Hynix 已發佈了最新的 DDR5 路線圖，並確認今年將開始限量生產下一代 DRAM。早於 2018 年 11 月亦宣布開發了業界首個根據 JEDEC 標準的 1Ynm 16Gb DDR5 DRAM。 據 SK Hynix 表示比起 DDR4，DDR5 在提供兩倍以上的頻寬，且由 DDR3 到 DDR4，頻寬增加了 33% (從 1600 Mbps 增加到 2133 Mbps)。借助 DDR5，SK Hynix 的目標是使每個 DIMM 的頻寬增加 50% 以上。

據外媒報導稱，由於種種原因所致，Intel和AMD整體要在明年才能拿出支持DDR5記憶體的平台了。 SAMSUNG方面也已經表示，2021年量產DDR5記憶體，並且使用EUV技術，製作將會在韓國平澤的新工廠進行，三星同時宣布第一批採用EUV技術的DDR4記憶體已經放置了100萬。 SAMSUNG估計，使用EUV技術生產DDR5記憶體，其三星表示EUV技術減少了激光中多次照射的重複步驟，並提高了光刻的準確度，從而提高了性能，提高了產量，並改變了開發時間。 12英寸D1a晶圓的生產效率會