記憶體
輕鬆秒殺 DDR5 !! Samsung 已研發出 HBM 3 記憶體,速度可達 1024 GB/s
AMD 與 Intel 的新一代 PC 平台已經支援 DDR5 RAM。DDR5 搭配雙通道計行的頻寬輕鬆超過 50GB/s,使用高頻率的型號更逼近 100 GB/s。不過這個數據跟 HBM3 記憶體對比下,只是小巫見大巫。根據最新消息指,Samsung 已經研發出全新的 HBM3 記憶體,頻寬輕鬆超過 1,024 GB/s。
JEDEC 組織今年初發佈了 HBM3 的標準,於存儲密度、頻寬、通道、可靠性、能效等各個層面皆升級了,當中傳輸數據率在 HBM2 基礎上再次暴增,每個針腳
加價訊號發出?WD、KIOXIA 聲稱日本材料受污染,影響 3D NAND Flash 記憶體生產
近日,Western Digital 與合作夥伴 KIOXIA 同樣表示,用於 Flash Memory 晶片的生產材料受到污染,影響日本兩間工廠的生產。
KIOXIA 表示,受影響的產品是名為 3D Flash 的新型晶片,而傳統 2D NAND Flash 晶片的供貨預計不會受到影響。Western Digital 與 KIOXIA 皆表示,正努力促使橫海市和北上市的工廠盡快恢復正常運營。但雙方並無提出恢復生產的詳細日期。
在全球半導體短缺的形勢下,各類晶片的生產接連受到
240 億美元投資蒸發 !! 中國紫光集團記憶體設廠計劃取消,日本 CEO 已離職
上周,中國紫光集團重整計劃已獲法院批准,戰略投資者將注入 600 億元資金,全數用於向債權人清償債務。而據大陸媒體報導,在新投資者的推動下,紫光集團將放棄在成都、重慶建設大型存儲工廠。另外高級副總裁兼日本分公司 CEO 坂本幸雄 (Yukio Sakamoto) 亦已經離職。
據悉,紫光集團原本希望在阪本幸雄的帶領下,擴大旗下 DRAM 記憶體業務,借助其豐富經驗及人脈,在日本建立 100 人左右的團隊,同時在重慶設廠生產 DRAM 記憶體晶片。
不過日本團隊的人員招募不如預
ASUS ROG 開發的實驗性「DDR5 to DDR4 」轉接卡曝光,已可成功運作但並未計劃推出
來自 ASUS ROG 的 林大餅 Bing,交日在其 Youtube Channel 分享 ROG 團隊針對 DDR5 與 DDR4 記憶體的最新研究。包括可讓主機板同時支援 DDR5、DDR4 插槽的研究,以及實驗成功可開運作的「DDR5 to DDR4」轉換卡。若有留意 DDR5 記憶體產品的價格,你就會發現,對比相近規格的 DDR4 產品,價格實在貴得多,主要原因歸究於 DDR5 將原本建立在主機板的記憶體電理控制晶片,移植到記憶體主板上,因此成本大增。而若果 ASUS 的研究真的能實現
堆疊容量達 288GB !! SK Hynix 全球首發 HBM3 記憶體
SK Hynix 日前宣佈成為首間研發新一代 HBM3 記憶體成功的廠商,其單顆容量最高為 24 GB, 厚度僅為 A4 紙的三分之一, 總頻寬則高達 819 GB/s。
於 OCP Summit 2021 峰會上,SK Hynix 首次公開展示 HBM3 記憶體,單顆容量 24 GB,頻率為 6.4GHz,比最初規劃的 5.2GHz 提升 23%。不過至今,JEDEC 仍未最終落實 HBM3 記憶體標準。
基本上,HBM 記憶體已成為高效能電腦產品的必備,如 AMD Ins