自然期刊

半導體行業持續向更精密的製程發展，5nm、7nm 已為目前的先進製程，而 3nm、2nm 亦準備在即。近日有消息指，台大 (NTU) 攜手與台積電、美國麻省理工學院 (MIT) 的共同研究項目，發現了 2D 材料結合半金屬鉍 (Bi) 能達到極低的電阻，接近量子極限。這個發現有助實現 1nm 以下的製程。而這項研究已於「自然期刊 (Nature)」公開發佈。 目前半導體的主流製程發展，到達到坐 5nm 望 3nm 的位置，而晶片單位面積能容納的電晶體數目，亦逼近半導體主流材料「矽」的物理極