Samsung HBM4E 記憶體其頻寬高達 3.25TB/s，是目前 HBM3E 的 2.5 倍。近日 Samsung 在 OCP（開放計算計畫）全球峰會上展示了這一技術突破，證明其高頻寬記憶體（HBM）技術已邁向全新里程。
HBM4E 記憶體的每堆疊引腳速度達到驚人的 13Gbps，總體頻寬突破 3.25TB/s，並具備極高的能源效率，幾乎是 HBM3E 的兩倍。這一成果得益於 Samsung 自主的半導體製造工藝（4nm），使其在控制成本與提高效能方面擁有優勢。值得注意的是，Samsung 的 HBM4 技術也已達到 11Gbps 的引腳速度，超越了國際標準機構 JEDEC 的標準。同時，Samsung 進一步鞏固了與 NVIDIA 和 AMD 的合作關係，這些記憶體技術將為 NVIDIA 的 Rubin 架構提供性能支持。據報導，Samsung 還計劃以具吸引力的價格策略來擴展市場份額，對 SK hynix 和 Micron 構成重大挑戰。
Samsung 在 HBM4E 的研發上採取了高效推進的策略，並計劃於 2026 年初量產，進一步促使其在高階運算及人工智能領域的領導地位。這一進展將為 AI 計算、圖形處理等高需求場景帶來革命性變化，為全球科技產業注入新動力。
