NAND Flash 記憶體由 SLC -> MLC -> TLC -> QLC，雖然成本逐步下降，容量又有提升，但卻是用效能與壽命來換取的。而今年，QLC 亦發展迅速，可能度亦增加不少，但是這種產品真的不是人人可接受到。不過更壞的是比 QLC 更差的 PLC 亦已經在路上了。
QLC 的 P/E 擦寫壽命在宣傳上有 1,000 次，但實際上大概只有幾百次，有猜測估計 PLC 若果搞不好，壽命有機會跌到 100 次左右了。
對消費者而言，QLC 顆粒已經難接受，更別提再低一級的 PLC，這壽命和速度很難令人滿意、放心。不過各廠商都對 PLC 記憶體的研究開始已久，隨著 QLC 已發展到了第三、第四代，目前的性能、容量、可靠性算是維持住底線了，而研發中的 PLC 打入市場也只是遲早的事。
由 Intel 早前的表態看來，其早就規劃好 PLC 的推行，不過好消息是其 3D PLC 將堅持使用浮柵型結構 (Floating Gate)，即使當前 3D NAND Flash 記憶體的主流結構是 Charge Trap 電荷捕獲型，但 Intel 指 Floating Gate 在讀取干擾、數據保持期上更出色。
Samsung、Toshiba、Micron、SK Hynix、West Digital 等公司的 PLC 也是箭在弦上，只是時間早晚的問題。
