目前 64-Layer 3D TLC 已經是主流 SSD 選配的記憶體顆粒，用 96-Layer 顆粒的 SSD 也開始上市。然而這當然並不是終點，業界已經正在步向 128-Layer 的記憶體顆粒了。在年初的 Flash Memory Summit 2019，SK Hynix 還有中國內地的長江存儲已經宣布了相關的計劃，現在 Toshiba 與 Western Digital 的 128-Layer 記憶體顆粒計劃也泄漏出來了。
Blocks & Files 已經拿到 Toshiba 與 Western Digital 的128-Layer 3D NAND 的部分資料，其被命名為 BiCS 5 (96-Layer 3D NAND 為 BiCS 4)，將會使用 CuA 設計，與非 CuA 技術相比可把晶片尺寸縮小 15%。目前公佈出來的 128-Layer 3D NAND 為 TLC 設計，存儲密度接近 96-Layer 3D QLC，若果採用 QLC 設計的話則更高。
BiCS 5 單 die 採用 4 Planes 設計，而與 2 Planes 設計相比寫入速度由 66 MB/s 提升到 132 MB/s，意味著 SSD 在 SLC Cache 用盡後 TLC 的原始寫入速度也不會太難看，不過具體寫入速度還需看主控的算法。
預計 Toshiba 與 Western Digital 將會在 2020 年末開始投產 128-Layer BiCS-5 記憶體，而要達到量產的話應該要到 2021 年。
