自從 2015 年 AMD 在 Fury 顯示卡上應用 HBM 技術後，這種高頻寬記憶體技術就以超高畔的頻寬、超小體積的優勢吸引了高階玩家的注意。目前已經發展到了 HBM 2，單顆記憶體由 128 GB/s 提升到 256 GB/s。隨著新一代平台對頻寬及容量的要求提升，在 HBM 3 問世之前，HBM 2 標準還要繼續擴大，JEDEC 組織現在就準備了升級版的 JESD235B 規範，將 HBM 技術的堆疊層數從 8 層增加到 12 層，單顆最大容量從 16 GB 增加到 24 GB，頻寬從 256 GB/s 提升到 307 GB/s，這樣堆疊 4 顆就能有 1.2 TB/s 的頻寬了。
HBM 不只可用於顯示卡，不過目前使用最多的還是 GPU。與 GDDR 相比，HBM 的 等效位元寬度從 GDDR5 的 32 bit 提升到 1024 bit，故可以降低頻率速度，HBM 1 代是 500 MHz (等效 1 GHz)，HBM 2 時代等效頻率提升到 2 Ghz，單顆晶片的頻寬可達 256 GB/s，但因為運行頻率降低，電壓降低，所以 HBM 的能效反而更高了。
HBM 提升容量靠的是堆疊層數，類似 3D NAND Flash 記憶體般，現在的 JESD235 HBM 2 規範中，堆疊層數有 2、4、8 層選擇，最新的 JESD235B 規範將其提升到了 12 層，在顆粒容量 8 – 16 Gb不變的情況下，單顆 HBM 堆棧容量就從 16 GB 提升到了 24 GB，容量提升 50%，理論上堆疊 4 顆可實現 96 GB HBM 2 VRAM 容量。
除了提升容量，JESD235B 還提升了頻率，從等效 2 Gbps 提升到 2.4 Gbps，等效 1024 bit 下頻寬從 256 GB/s 提升到了 307 GB/s，堆疊 4 顆的話頻寬就能達到 1.2 TB/s 以上。
不過 JESD235B 標準問世不代表很快就會有相關的產品，對於 HBM 來說，現在最大的問題還是成本，為此 AMD 及 NVIDIA 現在使用的 HBM 2 VRAM 都沒有達到標準，根本沒用到這麼大容量及頻率，Tesla V100 上的 HBM 2 單顆容量不過才 8GB，總容量最高 32 GB，總頻寬只有 900 GB/s。
