記憶體技術領域迎來重大突破！Ferroelectric Memory Co. (FMC) 與 Neumonda 攜手在德國推出新型「DRAM+」記憶體，該產品結合了 DRAM 的高性能與 SSD 的存儲特性，並採用了基於鐵電氧化鉿（HfO₂）的 FeRAM 技術。
傳統 DRAM 需要持續供電以維持數據，而新型 DRAM+ 則透過非揮發性 FeRAM 技術，讓數據在斷電後仍能保留，同時維持 DRAM 的高效能表現。這項技術不僅提升了能源效率，還擴展了記憶體的應用場景，包括 AI、汽車技術、消費電子、工業與醫療領域。
HfO₂ 的引入解決了傳統 FeRAM 技術的限制，不僅具備與現代半導體製程的相容性，還能在少於 10nm 的製程節點下實現更高密度，使存儲容量達到千兆位甚至千兆字節的範疇，接近 DRAM 的表現。Neumonda 則將提供進階測試平台，包括 Rhinoe、Octopus 和 Raptor，以支援 FMC 產品的開發和測試。這些平台專為低成本、高效率的記憶體測試設計，能進行詳細分析並減少傳統設備的成本。
