SK hynix 最近宣布開始量產全球首款 321 層 NAND 閃存，並計劃於 2025 年上半年啟動出貨。這款 NAND 閃存是目前業界最高層數的產品，標誌著存儲技術的一次重要突破。
該 321 層 NAND 採用了 SK hynix 的 “3 plugs” 工藝技術，通過更先進的工藝流程實現三層插頭之間的電氣連接。這種創新技術不僅提升了生產效率，還引入了低應力材料，並採用了自動校正對準的技術，大幅提高了製造精度。與其上一代 238 層 NAND 相比，321 層 NAND 在生產效率上提升了 59%，數據傳輸速度提高了 12%，讀取性能增強了 13%，同時電源效率也提升了超過 10%。
目前，321 層 NAND 是市場上層數最高的閃存技術，Samsung 以 280 層 NAND 緊隨其後，並正在開發 300 層和 400 層 NAND 技術以競爭。而 Micron、YMTC 和 Kioxia 則稍顯落後，分別停留在 232 層和 218 層技術上。根據 SK hynix 的說法，這款 NAND 閃存具有 1Tb 的容量，主要用於大容量存儲設備。未來可能會堆疊多個 NAND Die，實現更高的存儲容量，例如 2TB 或更大的容量。此外，該技術還可能進一步降低成本，為消費者提供更具性價比的存儲解決方案。
