HBM4E

Samsung HBM4E 記憶體其頻寬高達 3.25TB/s，是目前 HBM3E 的 2.5 倍。近日 Samsung 在 OCP（開放計算計畫）全球峰會上展示了這一技術突破，證明其高頻寬記憶體（HBM）技術已邁向全新里程。 HBM4E 記憶體的每堆疊引腳速度達到驚人的 13Gbps，總體頻寬突破 3.25TB/s，並具備極高的能源效率，幾乎是 HBM3E 的兩倍。這一成果得益於 Samsung 自主的半導體製造工藝（4nm），使其在控制成本與提高效能方面擁有優勢。值得注意的是，Sams