321 layer NAND Flash
[XF 新聞] SK hynix 量產全球首款 321 層 NAND 閃存 2025 年上半年出貨‧容量更高更便宜
SK hynix 最近宣布開始量產全球首款 321 層 NAND 閃存，並計劃於 2025 年上半年啟動出貨。這款 NAND 閃存是目前業界最高層數的產品，標誌著存儲技術的一次重要突破。
該 321 層 NAND 採用了 SK hynix 的 “3 plugs” 工藝技術，通過更先進的工藝流程實現三層插頭之間的電氣連接。這種創新技術不僅提升了生產效率，還引入了低應力材料，並採用了自動校正對準的技術，大幅提高了製造精度。與其上一代 238 層 NAND 相比，321 層 NAND 在生產效率
