2018 年的智能電話容量越做做越大，Flash Memory 容量基本由 64 GB 起，128 GB 已經成為主流，而 RAM 普遍由 6GB 起，高階的則是 8 GB 甚至 10 GB。RAM 容量要再上一個層階，除了希望降價外，還有賴於於大容量 LPDDR4 記憶體的量產。
Micron 今天宣布大規模量產 12 Gb 容量的 LPDDR4X ，使用了 1Y nm (官方表示 10 nm 級別) 生產，頻率可高達 4266 MHz，同時功耗亦下降了 10%，預計明年的智能電話可以達到 12 GB RAM。
Micron 表示其 12Gb LPPDR4X 顆粒是目前業界容量最高，速度也是最快的。速度快是真的，不過它`的12Gb LPDDR4X 並不是容量最大，Samsung 早在 4 月就宣布了 16 Gb 核心容量的 LPDDR4X，頻率同樣是4266 MHz。
12 Gb 顆粒意味著單核心就有 1.5 GB 容量，4 核心就有 6 GB RAM 容量，8 核心則是 12 GB，明年差不多就會有 12 GB RAM 的高階智能電話。
除了頻率高達 4266 MHz 之外，Micron 表示其 LPDDR4X 還有功耗上的優勢，功耗降低了 10%。
Micron 12 Gb LPDDR4X 記憶體使用了 1Y nm 製程，官方表示為 10 nm 級別的，這種說法經常誤導不少人，以為是 10 nm，其實是 1X nm 之後第二代 10 nm 級製程，1X nm 大概是 16 – 19 nm，1Y 應該是 14 – 16 nm，之所以這麼模糊是因為 20 nm 節點之後 DRAM 製程也面臨各種困難，線寬指標沒有明確的數值了，所以用 XYZ 代替，在這之後還有 1α 及 1β。
