三星電子 Samsung Electronics 近日宣佈已正式開始量產 3nm 製程晶片，比台積電的 3nm 晶片研發更早步進量產階段。對於台積電的路線圖，則預期要到 2022 下半年開始量產 N3 製程產品。
而三星表示其初代 3nm 製程比起 5nm 產品功耗降低 45%、效能提升 16%、節點面積減少 16%；第二代 3nm 製程更會降低 50% 功耗、擁有 30% 效能提升，並減少 35% 節點面積。
三星的 3nm 製程技術將採用多橋通道場效電晶體 (Multi-Bridge-Channel FET，MBCFET) 架構設計，以奈米線設計的環繞式閘極電晶體 (Gate-All-Around FET，GAA FET)架構為基礎，改以奈米片設計，增加與閘極的接觸面積。
