迎接 5G 世代 - Western Digital 發佈 UFS 3.0 iNAND EU511 閃存
寫入高達 750 MB/s 應付未來 5G 設備的性能需求

- 軒仔 - 2019-02-24 - visibility Views

最近存儲晶片也推出了最新的規格由 UFS 2.0 / 2.1 提升到 UFS 3.0,SEQ 讀寫速度堪比 SSD。Western Digital 宣布推出新一代 iNAND 嵌入式閃存 EU511,支持最新的 UFS 3.0,最大容量 512 GB,使用了 96-Layer 3D NAND 閃存,寫入速度達到 750 MB/s,足足比上代快了一倍。宣稱為未來的 5G 設備提供更好的體驗。

Western Digital 官方沒有公佈具體的晶片類型,但估計不會是 QLC,3D TLC 的機會比較大,因為今年 1 月底 TOSHIBA 也同樣推出了 UFS 3.0 閃存,而且是 96-Layer 3D TLC 閃存,按常理兩家推出的產品步伐都大致相約。

Western Digital EU511 閃存支持 UFS 3.0 Gear 4/2 Lane 規範,而 UFS 3.0 單通道雙向頻寬為 11.6 Gbps,因此雙通道的理論最高值就是 23.2 Gbps,約為 2.9GB/s。

容量方面,iNAND EU511 最低提供 64 GB,最高可達 512 GB,而且憑藉自家的 Smart SLC Generation 6 技術,提供最高 750MBps 的 Turbo 寫入速度,較現行技術提升 75% 隨機讀取與 25% 隨機寫入,同時符合 UFS 3.0 Gear 4/2 通道。而目前 Western Digital iNAND EU511 閃存已經開始給OEM客戶出樣。

 

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