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1nm 製程新突破 !! 台大聯同台積電、美國麻省理工學院研發全新 2D 材料

半導體行業持續向更精密的製程發展,5nm、7nm 已為目前的先進製程,而 3nm、2nm 亦準備在即。近日有消息指,台大 (NTU) 攜手與台積電、美國麻省理工學院 (MIT) 的共同研究項目,發現了 2D 材料結合半金屬鉍 (Bi) 能達到極低的電阻,接近量子極限。這個發現有助實現 1nm 以下的製程。而這項研究已於「自然期刊 (Nature)」公開發佈。 目前半導體的主流製程發展,到達到坐 5nm 望 3nm 的位置,而晶片單位面積能容納的電晶體數目,亦逼近半導體主流材料「矽」的物理極